El proceso de fabricación de un semiconductor elaborado con argón se puede realizar con gases licuados de alta pureza para electrónica como materia prima. Entre los compuestos de este tipo más conocidos tenemos argón (Ar), nitrógeno (Ni), hidrógeno (Hi) y el oxígeno (O2).
Pero, antes de especificar cómo estos gases resultan de utilidad, debemos definir que es un semiconductor. Estos se definen como es un material con capacidades aislantes o conductores. Su predilección ante esta ambigüedad depende de diversos factores, como las sustancias que se añaden o el contexto en el que se producen. Es decir, que influye el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.
Ahora bien, retomando el tema de los gases. La combinación de estos componentes con sustancias químicas de alta pureza y, con el apoyo y alcance global de las tecnologías innovadoras, han desarrollado proceso de fabricación de semiconductores muy avanzados. En este artículo nos vamos a enfocar en la inclusión del gas argón como un regulador de presión en el método de producción.
¿Qué cualidades del argón lo hacen favorable para un semiconductor?
Este gas monoatómico, incoloro, inodoro, insípido y no tóxico tiene una cualidad particular: proporciona protección contra la acción oxidante del aire. Como consecuencia se constituye como un elemento especial para procesos industriales en los campos de la metalúrgica y soldadura. En cuanto a la elaboración de un semiconductor elaborado con argón, en estado puro es utilizado como gas inerte para la protección de semiconductores contra las impurezas.
En términos más específicos, interviene propiamente para la técnica de dopaje. Cabe destacar que, incluso, funciona en la creación de circuitos en la industria electrónica.Se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro, referido como intrínseco.
El objetivo es cambiar sus propiedades eléctricas ópticas y estructurales. Una vez se completa el proceso, el material dopado se conoce como extrínseco. En este punto el gas actúa propiamente como un regulador de la impureza a introducir, lo que genera una atmósfera controlada para la fabricación del semiconductor. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar.
